| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 200V 5A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: IRFR220NTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFR220NTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 600 Milliohms, ID 5A, D-Pak (TO-252AA), PD 43W RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRFR220NTRR | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 5A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 5A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak 型号：IRFR220NTRR 仓库库存编号：IRFR220NTRR-ND | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 600 毫欧 @ 2.9A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 23nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 43W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | D-Pak |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
