| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFBG30PBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFBG30PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, N, 1000V, 3.1A, TO-220
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| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 1000 V 5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Siliconix | 1000V Single N-Channel HEXFET RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 1000V, RDS(ON) 5 Ohms, ID 3.1A, TO-220AB, PD 125W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 125 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFBG30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 1000V, 2A, 125W, TO220AB
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFBG30STRR | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 3.1A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRFBG30STRR VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 1000V 3.1A D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| IRFBG30STRR Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 3.1A D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 标准包装 ： | 800 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 1000V (1kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 5 欧姆 @ 1.9A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 80nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 980pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 125W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
