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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRF9Z34NSTRR - MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
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IRF9Z34NSTRR
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Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK0
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IRF9Z34NSTRRPBF
库存编号:448-IRF9Z34NSTRRPBFTR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK0
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IRF9Z34NSTRRPBF
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Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK0
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IRF9Z34NSTRRPBF
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Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK0
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IRF9Z34NSTRLPBF
库存编号:942-IRF9Z34NSTRLPBF
Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC6646
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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

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Infineon Technologies AG

MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF9Z34NSTRRPBF)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF9Z34NSTRRPBF)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRF9Z34NSTRRPBF)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Infineon Technologies AG

Single P-Channel 55 V 0.1 Ohm 35nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -55V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID -19A, D2Pak, PD 68W, VGS +/-20V, -55d

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International Rectifier  

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Infineon Technologies AG

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -55V, -19A, 68W, D2PAK, HEXFET?

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IRF9Z34NSTRR International Rectifier MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK 查看库存、价格及货期
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International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
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Infineon Technologies - IRF9Z34NSTRR - MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK

型号:IRF9Z34NSTRR
仓库库存编号:IRF9Z34NSTRR-ND

含铅
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IRF9Z34NSTRR|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF9Z34NSTRR
制造商型号: IRF9Z34NSTRR
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 800
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 100 毫欧 @ 10A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 35nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 620pF @ 25V
功率 - 最大 : 3.8W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 : D2PAK
包装 : 带卷 (TR)

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