| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF9Z34NSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRF9Z34NSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF9Z34NSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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| IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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| IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P, D2-PAK
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| IRF9Z34NSPBF. [更多] | Infineon Technologies AG | P CHANNEL MOSFET, -55V, 19A, D2-PAK
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| IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -55V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID -19A, D2Pak, PD 68W, VGS +/-20V, -55d RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF9Z34NSPBF [更多] | International Rectifier |
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| IRF9Z34NSPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: P Power dissipation: 68 W
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| IRF9Z34NSPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF9Z34NSPBF International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF9Z34NSPBF | 9103139 | INFINEON 晶体管, MOSFET, P沟道, 19 A, -55 V, 100 mohm, -10 V, -4 V (EN) | 搜索 |
IRF9Z34NSPBF. | 2127460 | INFINEON 场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 19A, D2-PAK (EN) | 搜索 |
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 | IR MOSFET P, -55 V -19 A 68 W D2PAK, IRF9Z34NSPBF, IR 型号：IRF9Z34NSPBF 仓库库存编号：171-38-985 | | 搜索 |
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| IRF9Z34NSPBF International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 100 毫欧 @ 10A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 35nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 620pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 3.8W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 管件 |
