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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRF9Z34NLPBF - MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
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IRF9Z34NLPBF
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MOSFET MOSFT PCh -55V -19A 100mOhm 23.3nC

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IRF9Z34NLPBF
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MOSFET

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IRF9Z34NLPBF
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Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IRF9Z34NLPBF
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Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IRF9Z34NLPBF
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MOSFET, P-CH, -55V, -19A, TO-262-3

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IRF9Z34NLPBF.
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P CHANNEL MOSFET, -55V, 19A, TO-262

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IRF9Z34NLPBF
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Transistor: P-MOSFET, unipolar, -55V, -19A, 68W, TO262, HEXFET?

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IRF9Z34NLPBF|International RectifierIRF9Z34NLPBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
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International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
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IRF9Z34NLPBF|International RectifierIRF9Z34NLPBF
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Infineon - IRF9Z34NLPBF - Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NLPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
制造商零件编号：
IRF9Z34NLPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
907-5056
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF9Z34NLPBF.
INFINEON IRF9Z34NLPBF.		1162958

INFINEON

场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 19A, TO-262

 (EN)		搜索
IRF9Z34NLPBF
INFINEON IRF9Z34NLPBF		2576890

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -55 V, 0.1 ohm, -10 V, -4 V

 (EN)		搜索
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Infineon Technologies - IRF9Z34NLPBF - MOSFET P-CH 55V 19A TO-262		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262

型号：IRF9Z34NLPBF
仓库库存编号：IRF9Z34NLPBF-ND
别名：*IRF9Z34NLPBF <br>SP001570616 <br>

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IRF9Z34NLPBF|International Rectifier
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRF9Z34NLPBF
制造商型号： IRF9Z34NLPBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 ： IR Hexfet TO-262
标准包装 ： 50
系列 ： HEXFET®
FET 型 ： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 ： 标准型
漏极至源极电压(Vdss) ： 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 19A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： 100 毫欧 @ 10A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） ： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ： 35nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 620pF @ 25V
功率 - 最大 ： 3.8W
安装类型 ： 通孔
封装/外壳 ： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装 ： TO-262
包装 ： 管件

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