型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF9952TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: IRF9952TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
| 搜索 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N & P CH, 30V, 3.5A, SOIC-8
| 搜索 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N & P CH, 30V, 3.5A, SOIC-8
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Dual N/P-Channel 30 V 0.1/0.15 Ohm 6.9/6.1 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Dual N/P-Channel 30 V 0.1/0.15 Ohm 6.9/6.1 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Dual N/P-Channel 30 V 0.1/0.15 Ohm 6.9/6.1 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9952TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRF9952TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 2.3 A, 3.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF9952TR | International Rectifier | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF9952TR International Rectifier | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRF9952TRPBF International Rectifier | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF9952TR International Rectifier | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRF9952TRPBF International Rectifier | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF9952TR International Rectifier | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRF9952TRPBF International Rectifier | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | International Rectifier IRF9952TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 2.3 A, 3.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC 型号:IRF9952TRPBF 仓库库存编号:70017732 | ![]() | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO 型号:IRF9952TRPBF 仓库库存编号:IRF9952PBFCT-ND 别名:*IRF9952TRPBF <br>IRF9952PBFCT <br> | 无铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO 型号:IRF9952TR 仓库库存编号:IRF9952TR-ND | 含铅 | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: IRF9952TRPBF 品牌: Infineon 库存编号: 827-3934 | 搜索 |
标准包装 : | 4,000 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | N 和 P 沟道 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 3.5A, 2.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 100 毫欧 @ 2.2A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 14nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 190pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 2W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SO |
包装 : | 带卷 (TR) |