| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9530NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9530NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF9530NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9530NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRF9530NSTRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF9530NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF9530NSTRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF9530NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF9530NSTRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9530NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P-CH, -100V, -14A, TO-263AB
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| IRF9530NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single P-Channel 100V 0.2 Ohm 58 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9530NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -100V, RDS(ON) 0.2Ohm, ID -14A, D2Pak, PD 79W, VGS +/-20V, -55 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF9530NSTRL | International Rectifier | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF9530NSTRL International Rectifier | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF9530NSTRLHR INTERNATIONAL RECTIFIER | Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK 详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK 型号：IRF9530NSTRLPBF 仓库库存编号：IRF9530NSTRLPBFCT-ND 别名：IRF9530NSTRLPBFCT <br> | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF9530NSTRLPBF | 2725930 | INFINEON 晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 800 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 200 毫欧 @ 8.4A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 58nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 760pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 3.8W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
