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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRF7853PBF - MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
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IRF7853PBF
库存编号:IRF7853PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO0
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IRF7853PBF International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,8.3A I(D),SO10
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￥154.89
￥140.81
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IRF7853PBF
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MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC

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IRF7853PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC (Alt: IRF7853PBF)

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IRF7853PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF7853PBF)

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

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IRF7853PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 14.4 Milliohms, ID 8.3A, SO-8, PD 2.5W, gFS 11S

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IRF7853PBF
[更多]		 International Rectifier  

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IRF7853PBF
[更多]		 International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W

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IRF7853PBF
[更多]		 TT Electronics Resistors

MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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IRF7853PBF
[更多]		 International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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IRF7853PBF|International RectifierIRF7853PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
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IRF7853PBF|International RectifierIRF7853PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRF7853PBF|International RectifierIRF7853PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF7853PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7853PBF, 8.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
IRF7853PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
688-6888
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IR - IRF7853PBF - MOSFET N, 100 V 6.6 A 2.5 W SO-8, IRF7853PBF, IR		IR
MOSFET N, 100 V 6.6 A 2.5 W SO-8, IRF7853PBF, IR

型号：IRF7853PBF
仓库库存编号：171-37-946

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF7853PBF
INFINEON IRF7853PBF		1298555

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4.9 V

 (EN)		搜索
IRF7853PBF
INFINEON IRF7853PBF		1298555RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4.9 V

 (EN)		搜索
  英国2号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

International Rectifier - IRF7853PBF - gFS 11S PD 2.5W SO-8 ID 8.3A RDS(ON) 14.4 Milliohms VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70017361 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 14.4 Milliohms; ID 8.3A; SO-8; PD 2.5W; gFS 11S

型号：IRF7853PBF
仓库库存编号：70017361

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IRF7853PBF|International Rectifier
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRF7853PBF
制造商型号： IRF7853PBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
详细参数
标准包装 ： 95
系列 ： HEXFET®
FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 ： 标准型
漏极至源极电压(Vdss) ： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 8.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： 18 毫欧 @ 8.3A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） ： 4.9V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ： 39nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 1640pF @ 25V
功率 - 最大 ： 2.5W
安装类型 ： 表面贴装
封装/外壳 ： 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装 ： 8-SO
包装 ： 管件

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