| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7492PBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.7A I(D), 200V, 0.079OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA | 95 1起订 | 1+ 32+ 72+ | ￥69.89 ￥38.44 ￥34.95 | 1-3周 | 购买 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7492PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7492PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 200V, 3.7A, 79 MOHM, 39 NC QG, SO-8 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7492PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W
| 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7492PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF7492PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7492PBF | 9264353 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 200 V, 79 mohm, 10 V, 2.5 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET N, 200 V 3 A 2.5 W SO-8, IRF7492PBF, IR 型号：IRF7492PBF 仓库库存编号：171-37-961 | | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRF7492PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF7492PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 标准包装 ： | 95 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 79 毫欧 @ 2.2A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 59nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1820pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2.5W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SO |
| 包装 ： | 管件 |
