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| IRF7469TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7469TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7469TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 40V, 9A, SOIC-8
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| IRF7469TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 40 V 21 mOhm 23 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF7469TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 40V, RDS(ON) 12 Milliohms, ID 9A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF7469TRPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, SO
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7469TRPBF 仓库库存编号：IRF7469PBFCT-ND 别名：*IRF7469TRPBF <br>IRF7469PBFCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 17 毫欧 @ 9A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 23nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 2000pF @ 20V |
| 功率 - 最大 ： | 2.5W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SO |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
