| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7453TR | International Rectifier | MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF7453TR International Rectifier | MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7453TR 仓库库存编号：IRF7453TR-ND | | 搜索 |
| Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7453TRPBF 仓库库存编号：IRF7453PBFCT-ND 别名：*IRF7453TRPBF <br>IRF7453PBFCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 4,000 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 230 毫欧 @ 1.3A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 38nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 930pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2.5W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SO |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
