| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF7452TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 100V 4.5A 60mOhm 33nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7452TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7452TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: IRF7452TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7452TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7452TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 100V, 4.5A, SOIC
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 100 V 0.06 Ohm 50 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.06Ohm, ID 4.5A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-30V, -55 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7452TR | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF7452TR International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
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| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7452TRPBF 仓库库存编号：IRF7452PBFCT-ND 别名：*IRF7452TRPBF <br>IRF7452PBFCT <br> | | 搜索 |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7452TR 仓库库存编号：IRF7452TR-ND | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7452TRPBF | 1374991 | INFINEON 场效应管, MOSFET (EN) | 搜索 |
IRF7452TRPBF | 2725906 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 0.06 ohm, 10 V, 5.5 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 4,000 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 60 毫欧 @ 2.7A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 50nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 930pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2.5W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SO |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
