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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - International Rectifier - IRF7329PBF - MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7329TRPBF
库存编号:IRF7329PBFDKR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO1892
1起订
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10+
100+
500+
1000+
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IRF7329TRPBF
库存编号:IRF7329PBFCT-ND
Infineon Technologies AG MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO1892
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IRF7329PBF
库存编号:IRF7329PBF-ND
Infineon Technologies AG MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO0
1起订
6-10天询价 询价
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IRF7329TRPBF
库存编号:IRF7329PBFTR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO0
4000起订
4000+
8000+
¥5.33
¥5.14
6-10天询价 询价
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  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
操作
IRF7329PBF International Rectifier 9.2 MA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA4
1起订
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参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7329TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7329TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7329TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 20V DUAL P-CH HEXFET 17mOhms 38nC

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7329PBF)

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R - Rail/Tube (Alt: IRF7329PBF)

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7329PBF)

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC Tube

RoHS: Compliant

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC Tube

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC Tube

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

Dual P-Channel 12 V 17 mOhm 38 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7329PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, Dual P-Ch, VDSS -12V, RDS(ON) 17 Milliohms, ID -9.2A, SO-8, PD 2W, -55de

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IRF7329PBF
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International Rectifier  

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IRF7329PBF
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International Rectifier

9.2 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA

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IRF7329PBF
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International Rectifier

9.2 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA

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IRF7329PBF International Rectifier MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 查看库存、价格及货期
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRF7329PBF|International RectifierIRF7329PBF
International Rectifier
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Rohs

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IRF7329PBF|International RectifierIRF7329PBF
International Rectifier
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
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IRF7329PBF|International RectifierIRF7329PBF
International Rectifier
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF7329PBF - Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7329PBF, 9.2 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7329PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8894
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International Rectifier - IRF7329PBF - -55de PD 2W SO-8 ID -9.2A RDS(ON) 17 Milliohms VDSS -12V Dual P-Ch MOSFET, Power|70017580 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 17 Milliohms; ID -9.2A; SO-8; PD 2W; -55de


型号:IRF7329PBF
仓库库存编号:70017580

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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

IR - IRF7329PBF - MOSFET P/P, 12 V 9.2 A 2 W SO-8, IRF7329PBF, IR
IR
MOSFET P/P, 12 V 9.2 A 2 W SO-8, IRF7329PBF, IR


型号:IRF7329PBF
仓库库存编号:300-02-239

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF7329PBF
INFINEON IRF7329PBF
1013375

INFINEON

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV

(EN)
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IRF7329PBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7329PBF
制造商型号: IRF7329PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 95
系列 : HEXFET®
FET 型 : 2 个 P 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 9.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 17 毫欧 @ 9.2A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 900mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 57nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 3450pF @ 10V
功率 - 最大 : 2W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SO
包装 : 管件

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