IRF7306PBF|International Rectifier代理|供应IRF7306PBF原装现货|PDF资料下载

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MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 16.7nC

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MOSFET

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Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7306PBF)

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Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R - Rail/Tube (Alt: IRF7306PBF)

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Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC Tube

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Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC Tube

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MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8

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Dual P-Channel 30 V 100 mOhm 25 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, Dual P-Ch, VDSS -30V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID -3.6A, SO-8, PD 2W, VGS +/-20V

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Transistor: P-MOSFET x2, unipolar, -30V, -3.6A, 2W, SO8, HEXFET?

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IRF7306PBF	International Rectifier	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC	查看库存、价格及货期

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	IR MOSFET P, -30 V -4.0 A 2.0 W SO-8, IRF7306PBF, IR 型号：IRF7306PBF 仓库库存编号：171-15-454		搜索

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
IRF7306PBF	9102205	INFINEON 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 100 mohm, -10 V, -1 V (EN)	搜索

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Infineon HEXFET 系列双 Si P沟道 MOSFET IRF7306PBF, 3.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
IRF7306PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
542-9355

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声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRF7306PBF
制造商型号： IRF7306PBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
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详细参数

标准包装：	95
系列：	HEXFET®
FET 型：	2 个 P 沟道（双）
FET 特点：	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) ：	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ：	3.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ：	100 毫欧 @ 1.8A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：	1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ：	25nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：	440pF @ 25V
功率 - 最大：	2W
安装类型：	表面贴装
封装/外壳：	8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装：	8-SO
包装：	管件

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