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| IRF6609TR1 | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF6609TR1 International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET  | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF6609TR1PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 31A（Ta），150A（Tc） 1.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MT 型号：IRF6609TR1PBF 仓库库存编号：IRF6609TR1PBFCT-ND 别名：IRF6609TR1PBFCT <br> | | 搜索 |
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IRF6609TR1PBF. | 1374954 | INFINEON 场效应管, MOSFET, N沟道 (EN) | 搜索 |
PDF查询| 其它有关文件 ： | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 标准包装 ： | 1,000 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 31A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 2 毫欧 @ 31A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 69nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 6290pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 1.8W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | DirectFET™ 等容 MT |
| 供应商设备封装 ： | DIRECTFET™ MT |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
