型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF6609 库存编号:IRF6609TR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 0 4800起订 | 4800+ | ¥20.4 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IRF6609TR1 库存编号:IRF6609TR1-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 0 1000起订 | 1000+ 2000+ | ¥20.66 ¥20.4 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IRF6609TRPBF 库存编号:IRF6609TRPBFTR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 0 1000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
IRF6609TR1PBF 库存编号:IRF6609TR1PBFTR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 0 1000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF6609 | International Rectifier | | 43 1起订 | 1+ 10+ 33+ | ¥68.03 ¥42.52 ¥37.42 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF6609 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS: Not compliant | 搜索 |
IRF6609TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF6609TR1PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF6609TR1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS: Not compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF6609TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 20 V 2.6 mOhm 69 nC HEXFET? Power Mosfet - DirectFET? RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF6609TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | A 20V N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET WITH 20 VOLT GATE IN THE DIRECTFET MT PACKAG RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRF6609TR1PBF [更多] | Infineon Technologies AG | 20V N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF6609TRPBF [更多] | International Rectifier |
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF6609 | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF6609 International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 31A(Ta),150A(Tc) 1.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT 型号:IRF6609 仓库库存编号:IRF6609CT-ND 别名:*IRF6609 <br>IRF6609CT <br> | 含铅 | 搜索 |
其它有关文件 : | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
产品目录绘图 : | IR Hexfet Circuit DirectFET |
标准包装 : | 1 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 31A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 2 毫欧 @ 31A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.45V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 69nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 6290pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 1.8W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | DirectFET™ 等容 MT |
供应商设备封装 : | DIRECTFET™ MT |
包装 : | 剪切带 (CT) |