型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF6607TR1 | International Rectifier | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,94A I(D),SMT (Also Known As: IRF6607) | 11883 1起订 | 1+ 539+ 975+ | ¥40.81 ¥18.77 ¥17.14 | 1-3周 | 购买 |
IRF6607TR1 | International Rectifier | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,94A I(D),SMT | 11883 1起订 | 1+ 539+ 975+ | ¥40.81 ¥18.77 ¥17.14 | 1-3周 | 购买 |
IRF6607TR1 | International Rectifier | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,94A I(D),SMT | 16 1起订 | 1+ 4+ 10+ | ¥61.83 ¥51.53 ¥45.34 | 1-3周 | 购买 |
IRF6607TR1 | International Rectifier | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,94A I(D),SMT (Also Known As: IRF6607) | 16 1起订 | 1+ 4+ 10+ | ¥61.83 ¥51.53 ¥45.34 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF6607TR1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R (Alt: IRF6607TR1) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF6607TR1 [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, SMT
| 搜索 |
IRF6607TR1 [更多] | TT Electronics Resistors | MOSFET Transistor, N-Channel, SMT
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF6607 | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),94A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT 型号:IRF6607 仓库库存编号:IRF6607CT-ND 别名:*IRF6607 <br>IRF6607CT <br> | 含铅 | 搜索 |
其它有关文件 : | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
产品目录绘图 : | IR Hexfet Circuit DirectFET |
标准包装 : | 1 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3.3 毫欧 @ 25A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 27A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 75nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 6930pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 3.6W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | DirectFET™ 等容 MT |
供应商设备封装 : | DIRECTFET™ MT |
包装 : | 剪切带 (CT) |