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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRF6607 - MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
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IRF6607
库存编号:IRF6607TR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET0
4800起订
4800+
¥19.95
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IRF6607TR1
库存编号:IRF6607TR1-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET0
1000起订
1000+
2000+
¥20.26
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IRF6607TR1 International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,94A I(D),SMT (Also Known As: IRF6607)11883
1起订
1+
539+
975+
¥40.81
¥18.77
¥17.14
1-3周购买 购买
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1起订
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539+
975+
¥40.81
¥18.77
¥17.14
1-3周购买 购买
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IRF6607TR1 International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,94A I(D),SMT16
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¥61.83
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1-3周购买 购买
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IRF6607
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Infineon Technologies AG

MOSFET

RoHS: Not compliant

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IRF6607TR1
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Infineon Technologies AG

MOSFET

RoHS: Not compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRF6607TR1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R (Alt: IRF6607TR1)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRF6607TR1
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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, SMT

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IRF6607TR1
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TT Electronics Resistors

MOSFET Transistor, N-Channel, SMT

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IRF6607 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET 查看库存、价格及货期
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IRF6607|International RectifierIRF6607
International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
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IRF6607TR1|International RectifierIRF6607TR1
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IRF6607|International RectifierIRF6607
International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
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MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
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Infineon Technologies - IRF6607 - MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),94A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT

型号:IRF6607
仓库库存编号:IRF6607CT-ND
别名:*IRF6607 <br>IRF6607CT <br>

含铅
搜索
IRF6607|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF6607
制造商型号: IRF6607
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
其它有关文件 : DirectFET MOSFET 4Ps Checklist
产品目录绘图 : IR Hexfet Circuit
DirectFET
标准包装 : 1
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 3.3 毫欧 @ 25A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 27A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 75nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 6930pF @ 15V
功率 - 最大 : 3.6W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : DirectFET™ 等容 MT
供应商设备封装 : DIRECTFET™ MT
包装 : 剪切带 (CT)

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