型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF6604 | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | 查看库存、价格及货期 |
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其它有关文件 : | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
产品目录绘图 : | IR Hexfet Circuit IR Hexfet Circuit |
标准包装 : | 1 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 11.5 毫欧 @ 12A, 7V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 26nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 2270pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 2.3W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | DirectFET™ 等容 MQ |
供应商设备封装 : | DIRECTFET™ MQ |
包装 : | 剪切带 (CT) |