| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF6602 | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF6602 International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11A（Ta），48A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MQ 型号：IRF6602 仓库库存编号：IRF6602CT-ND 别名：IRF6602CT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 其它有关文件 ： | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 13 毫欧 @ 11A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 18nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1420pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 2.3W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | DirectFET™ 等容 MQ |
| 供应商设备封装 ： | DIRECTFET™ MQ |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
