| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF640NSTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF640NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF640NSTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF640NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRF640NSTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF640NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF640NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IRF640NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.15Ohm, ID 18A, D2Pak, PD 150W, VGS +/-20V, -55 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 800 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 150 毫欧 @ 11A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 67nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1160pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 150W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
