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IRF640LPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF640LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-262-3 型号:IRF640LPBF 仓库库存编号:IRF640LPBF-ND 别名:*IRF640LPBF <br> | 无铅 | 搜索 |
产品目录绘图 : | IRF TO-262 Series Side 1 IRF TO-262 Series Side 2 |
标准包装 : | 1,000 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 180 毫欧 @ 11A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 18A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 70nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 1300pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 130W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 : | TO-262-3 |
包装 : | 管件 |