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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - IRF610LPBF - MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
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IRF610LPBF
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IRF610LPBF
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Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 200V - Bulk (Alt: IRF610LPBF)0
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp

RoHS: Compliant

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRF610LPBF)

RoHS: Not Compliant

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MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRF610LPBF|VISHAY SILICONIXIRF610LPBF
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Rohs

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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Rohs

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Vishay Siliconix - IRF610LPBF - MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) I2PAK

型号:IRF610LPBF
仓库库存编号:IRF610LPBF-ND
别名:*IRF610LPBF <br>

无铅
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IRF610LPBF|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF610LPBF
制造商型号: IRF610LPBF
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
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订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : IRF TO-262 Series Side 1
IRF TO-262 Series Side 2
标准包装 : 1,000
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 1.5 欧姆 @ 2A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 140pF @ 25V
功率 - 最大 : 36W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装 : I2PAK
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRF610LPBF
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