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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRF5803TRPBF - MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP

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MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC

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Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-Pin Micro T/R (Alt: IRF5803TRPBF)

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Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRF5803TRPBF)

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Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-Pin Micro T/R - Cut TR (SOS) (Alt: IRF5803TRPBF/BKN)

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Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-Pin Micro T/R (Alt: IRF5803TRPBF)

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MOSFET,P,40V,3.4A,TSOP6

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Single P-Channel 40 V 190 mOhm 37 nC HEXFET? Power Mosfet - TSOP-6

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Single P-Channel 40 V 190 mOhm 37 nC HEXFET? Power Mosfet - TSOP-6

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INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET P沟道
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Infineon Technologies - IRF5803TRPBF - MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP

详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)

型号:IRF5803TRPBF
仓库库存编号:IRF5803TRPBFCT-ND
别名:IRF5803TRPBFCT <br>

无铅
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IRF5803TRPBF
INFINEON IRF5803TRPBF
1298520

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -40 V, 112 mohm, 10 V, -3 V

(EN)
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IRF5803TRPBF
INFINEON IRF5803TRPBF
1298520RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -40 V, 112 mohm, 10 V, -3 V

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IRF5803TRPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF5803TRPBF
制造商型号: IRF5803TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 1
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 112 毫欧 @ 3.4A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 37nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1110pF @ 25V
功率 - 最大 : 2W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-TSOP (0.059", 1.50mm 宽)
供应商设备封装 : Micro6™(TSOP-6)
包装 : 剪切带 (CT)

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