型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF5803D2TR 库存编号:IRF5803D2TR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO | 0 4000起订 | 4000+ | ¥10.38 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IRF5803D2TRPBF 库存编号:IRF5803D2TRPBFCT-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO | 0 4000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
IRF5803D2TRPBF 库存编号:IRF5803D2TRPBFDKR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO | 0 1起订 | 1+ | ¥11.47 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IRF5803D2TRPBF 库存编号:IRF5803D2TRPBFTR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF5803D2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF5803D2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | -40V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF5803D2TR | International Rectifier | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF5803D2TR International Rectifier | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRF5803D2TRPBF International Rectifier | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF5803D2TR International Rectifier | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRF5803D2TRPBF International Rectifier | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF5803D2TR International Rectifier | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRF5803D2TRPBF International Rectifier | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 3.4A(Ta) 2W(Ta) 8-SO 型号:IRF5803D2TR 仓库库存编号:IRF5803D2TR-ND | 含铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 3.4A(Ta) 2W(Ta) 8-SO 型号:IRF5803D2TRPBF 仓库库存编号:IRF5803D2TRPBFCT-ND 别名:IRF5803D2TRPBFCT <br> | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 4,000 |
系列 : | FETKY™ |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 二极管(隔离式) |
漏极至源极电压(Vdss) : | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 3.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 112 毫欧 @ 3.4A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 37nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 1110pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 2W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SO |
包装 : | 带卷 (TR) |