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| IRF5803D2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS RoHS: Compliant | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 95 |
| 系列 ： | FETKY™ |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 112 毫欧 @ 3.4A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 37nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1110pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SO |
| 包装 ： | 管件 |
