| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF3515STRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 150V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 41A, D2Pak, PD 200W, VGS +/-30V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF3515STRR | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF3515STRR International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF3515STRRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF3515STRR International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| IRF3515STRRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRF3515STRR International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 41A（Tc） 200W（Tc） D2PAK 型号：IRF3515STRR 仓库库存编号：IRF3515STRR-ND | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 800 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 45 毫欧 @ 25A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 107nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 2260pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 200W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
