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IRF1405LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF1405LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 55V, 131A, 5.3 MOHM, 170 NC QG,TO-262 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRF1405LPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 131A TO-262 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 131A TO-262 详细描述:通孔 N 沟道 55V 131A(Tc) 200W(Tc) TO-262 型号:IRF1405LPBF 仓库库存编号:IRF1405LPBF-ND 别名:*IRF1405LPBF <br>SP001550918 <br> | 无铅 | 搜索 |
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产品目录绘图 : | IR Hexfet TO-262 |
标准包装 : | 50 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 131A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 5.3 毫欧 @ 101A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 260nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 5480pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 200W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 : | TO-262 |
包装 : | 管件 |