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| IPP084N06L3GXKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IPP084N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IPP084N06L3 G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 50A 60V PG-TO220-3  | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 500 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 8.4 毫欧 @ 50A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.2V @ 34µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 29nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 4900pF @ 30V |
| 功率 - 最大 ： | 79W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： | PG-TO220-3 |
| 包装 ： | 管件 |
