| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD50N06S2L13ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD50N06S2L13ATMA2 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD50N06S2L13ATMA2 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CHANNEL_55/60V RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD50N06S2L-13 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 55V 50A DPAK-2 OptiMOS RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD50N06S2L13ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 55V 50A DPAK-2 OptiMOS RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD50N06S2L13ATMA2 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD50N06S2L13ATMA2) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD50N06S2L13ATMA2 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD50N06S2L13ATMA2) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPD50N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPD50N06S2L13 Infineon Technologies | MOSFET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IPD50N06S2L-13 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPD50N06S2L13 Infineon Technologies | MOSFET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IPD50N06S2L-13 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPD50N06S2L-13 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 标准包装 ： | 2,500 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 12.7 毫欧 @ 34A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 80µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 69nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 136W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | PG-TO252-3 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
