| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPB60R950C6ATMA1 库存编号:IPB60R950C6ATMA1DKR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK | 0 1起订 | 1+ | ￥15.95 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| IPB60R950C6ATMA1 库存编号:IPB60R950C6ATMA1TR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
| IPB60R950C6ATMA1 库存编号:IPB60R950C6ATMA1CT-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPB60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies AG | | 4000 1起订 | 1+ 1154+ 2471+ | ￥31.73 ￥11.11 ￥9.52 | 1-3周 | 购买 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB60R950C6 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 650V 4.4A D2PAK-2 CoolMOS C6 RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET LOW POWER_LEGACY
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB60R950C6 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 4-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB60R950C6) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 4-Pin(3+Tab) TO-263 (Alt: IPB60R950C6ATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 4-Pin(3+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB60R950C6ATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPB60R950C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IPB60R950C6 品牌： Infineon 库存编号： 826-9500 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPB60R950C6 INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 600V 4.4A TO263  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO263-2 型号：IPB60R950C6 仓库库存编号：IPB60R950C6CT-ND 别名：IPB60R950C6CT <br> | | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPB60R950C6 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IPB60R950C6 INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 600V 4.4A TO263 | 查价格库存 查看详细 |
 | IPB60R950C6 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 产品培训模块 ： | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
| 标准包装 ： | 1,000 |
| 系列 ： | CoolMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 950 毫欧 @ 1.5A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3.5V @ 130µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 13nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 280pF @ 100V |
| 功率 - 最大 ： | 37W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | PG-TO263-2 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
