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| IPB06CN10N G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IPB06CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IPB06CN10N G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 100A 100V PG-TO263-3  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2 型号：IPB06CN10N G 仓库库存编号：IPB06CN10N G-ND 别名：SP000096446 <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 1,000 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 6.2 毫欧 @ 100A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 180µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 139nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 9200pF @ 50V |
| 功率 - 最大 ： | 214W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | PG-TO263-2 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
