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71V416S10BE8 [更多] | Integrated Device Technology Inc | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM RoHS: Not compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IDT71V416S10BE8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA | 查看库存、价格及货期 |
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标准包装 : | 2,000 |
系列 : | - |
格式 - 存储器 : | RAM |
存储器类型 : | SRAM - 异步 |
存储容量 : | 4M (256K x 16) |
速度 : | 10ns |
接口 : | Parallel (Byte-wide) |
电源电压 : | 3 V ~ 3.6 V |
工作温度 : | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 : | 48-TFBGA |
供应商设备封装 : | 48-CABGA (9x9) |
包装 : | 带卷 (TR) |