PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HTMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | - |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 400 毫欧 @ 100mA, 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 4.3nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 290pF @ 28V |
| 功率 - 最大 ： | 50W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | 8-CDIP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 ： | 8-CDIP-EP |
| 包装 ： | 散装 |
