| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| HGTG30N60B3D_R4731 | Harris Semiconductor | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247 | 5 1起订 | 1+ 2+ 4+ | ￥246.87 ￥164.58 ￥123.44 | 1-3周 | 购买 |
| HGTG30N60B3D | Fairchild Semiconductor Corporation | 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 3 1起订 | 1+ 2+ 4+ | ￥246.87 ￥164.58 ￥123.44 | 1-3周 | 购买 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 208W TO247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel RoHS: Compliant | 搜索 |
| HGTG30N60B3D_Q [更多] | ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel RoHS: Not compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Bulk (Alt: HGTG30N60B3D) RoHS: Compliant | 搜索 |
| HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Rail/Tube (Alt: HGTG30N60B3D) RoHS: Compliant | 搜索 |
| HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail (Alt: HGTG30N60B3D) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | PTPIGBT TO247 60A 600V
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | PTPIGBT TO247 60A 600V
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTG30N60B3D.. [更多] | ON Semiconductor | IGBT,N CH,600V,30A,TO-247
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTG30N60B3D [更多] | ON Semiconductor | HGTG30N60B3D Series 600 V 60 A Flange Mount UFS N-Channel IGBT-TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTG30N60B3D [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTG30N60B3D [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation | IGBT Housing type: TO-247 Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.1 V Current release time: 200 ns Power dissipation: 208 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTG30N60B3D [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation | 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
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| HGTG30N60B3D_R4731 [更多] | Freescale Semiconductor |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| HGTG30N60B3D | Fairchild Semiconductor | IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 60A 208W TO247 详细描述：IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247 型号：HGTG30N60B3D 仓库库存编号：HGTG30N60B3D-ND |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | HGTG30N60B3D FAIRCHILD | HGTG30N60B3D系列 600 V 60 A 法兰安装 UFS N沟道 IGBT-TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
 | HGTG30N60B3D... FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| HGTG30N60B3D_Q Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| HGTG30N60B3D_Q Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| HGTG30N60B3D FAIRCHILD | HGTG30N60B3D系列 600 V 60 A 法兰安装 UFS N沟道 IGBT-TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
 | HGTG30N60B3D FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 晶体管 IGBT 208W | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | HGTG30N60B3D Fairchild Semiconductor | IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Fairchild IGBT TO-247 600 V 30 A, HGTG30N60B3D, Fairchild 型号：HGTG30N60B3D 仓库库存编号：171-00-386 | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
HGTG30N60B3D.. | 1838984 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 (EN) | 搜索 |
PDF查询| 产品培训模块 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告 ： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图 ： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装 ： | 150 |
| 系列 ： | - |
| IGBT 类型 ： | - |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） ： | 1.9V @ 15V, 30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： | 60A |
| 功率 - 最大 ： | 208W |
| 输入类型 ： | 标准型 |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-247 |
| 包装 ： | 管件 |
