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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Renesas Electronics America - HAT2116H-EL-E - MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
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HAT2116H-EL-E
库存编号:HAT2116H-EL-E-ND
Renesas Electronics Corporation MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK0
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HAT2116H-EL-E
库存编号:HAT2116H-EL-E
Renesas Electronics Corporation Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R - Tape and Reel (Alt: HAT2116H-EL-E)0
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HAT2116H-EL-E Renesas Electronics Corporation POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 30A I(D), 30V, 0.0153OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET2277
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HAT2116H-EL-E
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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HAT2116H-EL-E
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET MOSFET - Lead Free

RoHS: Compliant

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HAT2116H-EL-E|RENESAS ELECTRONICSHAT2116H-EL-E
RENESAS ELECTRONICS
30V N-CHANNEL 30A 8.2MOHM LFPAK (SO-8L) POWER MOSFET
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Renesas Electronics America - HAT2116H-EL-E - MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta) 15W(Tc) LFPAK

型号:HAT2116H-EL-E
仓库库存编号:HAT2116H-EL-E-ND

无铅
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无图HAT2116H-EL-E
RENESAS ELECTRONICS
30V N-CHANNEL 30A 8.2MOHM LFPAK (SO-8L) POWER MOSFET
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
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HAT2116H-EL-E|Renesas Electronics America
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
HAT2116H-EL-E
制造商型号: HAT2116H-EL-E
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 2,500
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 8.2 毫欧 @ 15A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : -
闸电荷(Qg) @ Vgs : 26nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1650pF @ 10V
功率 - 最大 : 15W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SC-100, SOT-669
供应商设备封装 : LFPAK
包装 : 带卷 (TR)

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