标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | 6 N-沟道(3 相桥) |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 85V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 103A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 6.2 毫欧 @ 75A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 114nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | - |
功率 - 最大 : | - |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 18-ISOPLUS-DIL™ |
供应商设备封装 : | 18-ISOPLUS-DIL™ |
包装 : | 管件 |