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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Fairchild Semiconductor - FQT1N60CTF_WS - MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
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MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel

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600V, 0.2A, 11.5 OHM, NCH MOSF

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MOSFET, N-CH, 600V, 0.2A, SOT-223-3

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 600V, 0.12A, 2.1W, SOT223, QFET?

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Fairchild Semiconductor Corporation

200MA, 600V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET

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FQT1N60CTF_WS Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4 查看库存、价格及货期
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FQT1N60CTF_WS
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQT1N60CTF_WS
2453912

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V

(EN)
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Fairchild Semiconductor - FQT1N60CTF_WS - Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQT1N60CTF_WS, 200 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
FQT1N60CTF_WS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5926
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Fairchild/ON Semiconductor - FQT1N60CTF_WS - MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tc) 2.1W(Tc) SOT-223-4

型号:FQT1N60CTF_WS
仓库库存编号:FQT1N60CTF_WSCT-ND
别名:FQT1N60CTF_WSCT <br>

无铅
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FQT1N60CTF_WS|FAIRCHILDFQT1N60CTF_WS
FAIRCHILD
FQT1N60C 系列 600 V 11.5 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - SOT-223
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无图FQT1N60CTF-WS
FAIRCHILD
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无图FQT1N60CTFWS-BKN
FSC
Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
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FQT1N60CTF_WS|Fairchild SemiconductorFQT1N60CTF_WS
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
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FQT1N60CTF_WS|FAIRCHILDFQT1N60CTF_WS
FAIRCHILD
FQT1N60C 系列 600 V 11.5 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - SOT-223
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FQT1N60CTF_WS|Fairchild SemiconductorFQT1N60CTF_WS
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
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FQT1N60CTF_WS|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FQT1N60CTF_WS
制造商型号: FQT1N60CTF_WS
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : MOSFET SOT-223 Pkg
标准包装 : 1
系列 : QFET™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 11.5 欧姆 @ 100mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 6.2nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 170pF @ 25V
功率 - 最大 : 2.1W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-261-4, TO-261AA
供应商设备封装 : SOT-223-3
包装 : 剪切带 (CT)

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