PDF查询| 产品培训模块 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 370mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 6.2 欧姆 @ 185mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 8.2nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SOP |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
