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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Fairchild Semiconductor - FQD2N90TM - MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
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FQD2N90TM|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FQD2N90TM
制造商型号: FQD2N90TM
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品培训模块 : High Voltage Switches for Power Processing
标准包装 : 2,500
系列 : QFET™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 1.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 7.2 欧姆 @ 850mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 15nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 500pF @ 25V
功率 - 最大 : 2.5W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 : D-Pak
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FQD2N90TM
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