PDF查询| 产品变化通告 ： | Passivation Material Change 14/May/2008 |
| 标准包装 ： | 2,000 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 4.7 欧姆 @ 950mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 12nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 235pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2.5W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | D-Pak |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
