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| FQD12N20LTM-F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| FQD12N20LTM-F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQD12N20LTM-F085P [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V
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PDF查询| 标准包装 ： | 2,500 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 280 毫欧 @ 4.5A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 21nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1080pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2.5W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | D-Pak |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
