PDF查询| 产品培训模块 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告 ： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装 ： | 30 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 1000V (1kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.45 欧姆 @ 4A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 70nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 3220pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 225W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-3PN |
| 包装 ： | 管件 |
