标准包装 : | 30 |
系列 : | QFET™ |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 150V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 36A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 90 毫欧 @ 18A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 105nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 3320pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 294W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-3P-3, SC-65-3 |
供应商设备封装 : | TO-3P |
包装 : | 管件 |