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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Fairchild Semiconductor - FDS3601 - MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC
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FDS3601|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDS3601
制造商型号: FDS3601
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品培训模块 : High Voltage Switches for Power Processing
标准包装 : 2,500
系列 : PowerTrench®
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 1.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 480 毫欧 @ 1.3A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 5nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 153pF @ 50V
功率 - 最大 : 900mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SOICN
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FDS3601
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