| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDFMA2N028Z [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDFMA2N028Z [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 20V N-Ch PT MFET SCHOTTKY RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDFMA2N028Z [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin MicroFET T/R (Alt: FDFMA2N028Z) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FDFMA2N028Z [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin MicroFET T/R - Tape and Reel (Alt: FDFMA2N028Z) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FDFMA2N028Z [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin MicroFET T/R - Tape and Reel (Alt: FDFMA2N028Z) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDFMA2N028Z [更多] | ON Semiconductor | 20V,3.7A,68 OHM, NCH POWER TRE
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDFMA2N028Z [更多] | ON Semiconductor | MOSFET, N-CH, 20V, 3.7A, UFET-6
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDFMA2N028Z [更多] | ON Semiconductor | 20V,3.7A,68 OHM, NCH POWER TRENCH MOSFET & SCHOTTKY DIODE RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDFMA2N028Z [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FDFMA2N028Z | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | FDFMA2N028Z Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2  | 查价格库存 查看详细 |
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 | FDFMA2N028Z FAIRCHILD | FDFMA2N028Z 系列 20 V 68 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet 和肖特基二极管 | 查价格库存 查看详细 |
 | FDFMA2N028Z Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 | 查价格库存 查看详细 |
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| FDFMA2N028Z FAIRCHILD | FDFMA2N028Z 系列 20 V 68 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet 和肖特基二极管 | 查价格库存 查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.4W（Tj） 6-MicroFET（2x2） 型号：FDFMA2N028Z 仓库库存编号：FDFMA2N028ZCT-ND 别名：FDFMA2N028ZCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 二极管（隔离式） |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 68 毫欧 @ 3.7A, 4.5V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 3.7A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 6nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 455pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 700mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 6-MLP, 6-MicroFET™ |
| 供应商设备封装 ： | 6-MicroFET (2x2) |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
