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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Fairchild Semiconductor - FDD8N50NZTM - MOSFET N-CH 500V DPAK
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FDD8N50NZTM
库存编号:FDD8N50NZTMTR-ND
onsemi MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK0
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FDD8N50NZTM
库存编号:3368739
onsemi , MOSFET, N, 500V, 6.5A, 150 C, 90W0
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FDD8N50NZTM
库存编号:3368739RL
onsemi , MOSFET, N, 500V, 6.5A, 150 C, 90W0
100起订
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FDD8N50NZTM onsemi  
264
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MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK

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FDD8N50NZTM
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MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK

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FDD8N50NZTM
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MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK

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FDD8N50NZTM
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MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK

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FDD8N50NZTM
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ON Semiconductor

MOSFET UNIFET2 500V N-CH MOSFET DPAK

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Trans MOSFET N-CH 500V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDD8N50NZTM)

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FDD8N50NZTM
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Trans MOSFET N-CH 500V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FDD8N50NZTM)

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FDD8N50NZTM
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UNIFET2 500V N-CHANNEL MOSFET,

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FDD8N50NZTM
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ON Semiconductor

UNIFET2 500V N-CHANNEL MOSFET,

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FDD8N50NZTM
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ON Semiconductor

Single N-Channel 500 V 90 W 18 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3

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FDD8N50NZTM Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 500V DPAK 查看库存、价格及货期
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FDD8N50NZTM|Fairchild SemiconductorFDD8N50NZTM
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
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Fairchild/ON Semiconductor - FDD8N50NZTM - MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 90W(Tc) DPAK

型号:FDD8N50NZTM
仓库库存编号:FDD8N50NZTMCT-ND
别名:FDD8N50NZTMCT <br>

无铅
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Fairchild/ON Semiconductor - FDD8N50NZTM - MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6.5A(Tc) 90W(Tc) DPAK

型号:FDD8N50NZTM
仓库库存编号:FDD8N50NZTMTUBE-ND
别名:FDD8N50NZTMTUBE <br>

无铅
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FDD8N50NZTM - Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDD8N50NZTM, 6.9 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
FDD8N50NZTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6187
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FDD8N50NZTM|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDD8N50NZTM
制造商型号: FDD8N50NZTM
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 500V DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 2,500
系列 : UniFET-II™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 6.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 850 毫欧 @ 3.25A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 18nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 735pF @ 25V
功率 - 最大 : 90W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 : D-Pak
包装 : 带卷 (TR)

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