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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Fairchild Semiconductor - FDB12N50FTM_WS - MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
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FDB12N50FTM-WS
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MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

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FDB12N50FTM-WS
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MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel

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FDB12N50FTM_WS
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Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FDB12N50FTM-WS)

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FDB12N50FTM_WS
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Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDB12N50FTM-WS)

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FDB12N50FTM_WS
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500V, 11.5A, 0.7 OHM, NCH, MOS

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FDB12N50FTM_WS
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500V, 11.5A, 0.7 OHM, NCH, MOS

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FDB12N50FTM-WS
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FDB12N50FTM_WS|FAIRCHILDFDB12N50FTM_WS
FAIRCHILD		500V mosfet 0.7ohm, NCH d2pak
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无图FDB12N50FTM_WS
FAIRCHILD		500V mosfet 0.7ohm, NCH d2pak
Rohs

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FDB12N50FTM_WS|Fairchild SemiconductorFDB12N50FTM_WS
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
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FDB12N50FTM_WS|Fairchild SemiconductorFDB12N50FTM_WS
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Rohs

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Fairchild/ON Semiconductor - FDB12N50FTM_WS - MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）

型号：FDB12N50FTM_WS
仓库库存编号：FDB12N50FTM_WSCT-ND
别名：FDB12N50FTM_WSCT <br>

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FDB12N50FTM_WS|Fairchild Semiconductor
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
FDB12N50FTM_WS
制造商型号： FDB12N50FTM_WS
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
详细参数
产品目录绘图 ： D2PAK, TO-263AB Pkg
标准包装 ： 1
系列 ： UniFET™
FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 ： 标准型
漏极至源极电压(Vdss) ： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 11.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： 700 毫欧 @ 6A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） ： 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ： 30nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 1395pF @ 25V
功率 - 最大 ： 165W
安装类型 ： 表面贴装
封装/外壳 ： TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 ： D²PAK
包装 ： 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FDB12N50FTM_WS
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