PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 8 欧姆 @ 10mA, 4V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 100mA |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.5V @ 1µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 12pF @ 3V |
| 功率 - 最大 ： | 125mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | SOT-666 |
| 供应商设备封装 ： | SSMini6-F3-B |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
