应用说明 : | Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
特色产品 : | EPC2014 40 V eGaN? FET Demo Board EPC9101 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | eGaN™ |
FET 型 : | GaNFET N 通道,氮化镓 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 16 毫欧 @ 5A, 5V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 10A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.5V @ 2mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 2.8nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 325pF @ 20V |
功率 - 最大 : | - |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 5-LGA |
供应商设备封装 : | 5-LGA (1.7x1.1) |
包装 : | 剪切带 (CT) |