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分离式半导体 - MOSFET - 单 - EPC - EPC2012 - TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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EPC2012|EPC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
EPC2012
制造商型号: EPC2012
制造商: EPC
描述: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
应用说明 : Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
标准包装 : 1
系列 : eGaN™
FET 型 : GaNFET N 通道,氮化镓
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 100 毫欧 @ 3A, 5V
漏极至源极电压(Vdss) : 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 1.8nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 145pF @ 100V
功率 - 最大 : -
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : *
供应商设备封装 : *
包装 : *

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: EPC2012
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